Рейтинг@Mail.ru
"Роснано" и Crocus Technology откроют в РФ производство памяти MRAM - РИА Новости, 17.05.2011
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

"Роснано" и Crocus Technology откроют в РФ производство памяти MRAM

Читать ria.ru в
ОАО "Роснано" и французская Crocus Technology, ведущий разработчик магниторезистивной памяти, объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму 300 миллионов долларов.

МОСКВА, 17 мая - РИА Новости. ОАО "Роснано" и французская Crocus Technology, ведущий разработчик магниторезистивной памяти, объявили о заключении инвестиционного соглашения о создании в России производства памяти MRAM следующего поколения на общую сумму 300 миллионов долларов, говорится в сообщении "Роснано".

В рамках нового соглашения "Роснано" и Crocus создают компанию Crocus Nano Electronics (CNE), которая построит в России первый в мире завод по производству памяти MRAM средней и высокой плотности с проектными нормами 90 и 65 нанометров с применением технологии термического переключения (Thermally Assisted Switching - TAS), разработанной Crocus.

"Проект производства TAS MRAM служит примером использования самых перспективных мировых разработок для развития российской микроэлектронной промышленности. Он станет первым в России предприятием для обработки 300-миллиметровых кремниевых пластин. Но наш проект, ориентированный на глобальный рынок - больше, чем просто трансфер технологий", - подчеркнул управляющий директор "Роснано" Дмитрий Лисенков, чьи слова приводит компания.

По его словам, в проекте будут активно участвовать российские инженеры и ученые из создающихся центров исследований и разработок.

"У нас достаточно амбициозные планы по продажам продукции. Планируем что в 2015 году совокупный оборот, исключая внутригрупповой, превысит 6 миллиардов рублей", - сказал Лисенков РИА Новости.

По его словам, в настоящее время рассматриваются две площадки для размещения проекта. "Мы выбираем из двух площадок. Одна - это Зеленоград, вторая - это Калининградская область, где создается кластер микроэлектроники", - сказал он.

Магниторезистивная оперативная память (MRAM - magnetoresistive random-access memory) считается одной из перспективных технологий будущего. Она сочетает ряд достоинств как оперативной компьютерной DRAM-памяти (высокая производительность, практически бесконечное число циклов перезаписи, невысокое энергопотребление), так и Flash-памяти (энергонезависимость). Благодаря тому, что в MRAM-памяти для хранения данных не используются, как во Flash-памяти, разнонаправленные электрические заряды, соответствующие двоичным "0" и "1", она устойчива к воздействию радиации и способна работать в широком интервале температур. По этой причине магниторезистивная память широко применяется в космонавтике и в военных целях.

Ключевыми рынками для производимой продукции станут системы хранения данных, мобильные и сетевые устройства, а также сервисы по развитию облачных вычислений. Кроме устройств общего назначения, память TAS MRAM может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах малого радиуса действия и защищенной памяти. Потенциальный объем мирового рынка для продукции проекта составляет более 40 миллиардов долларов в год, отмечается в сообщении.

"Производство магниторезистивной памяти по нормам 90 и 65 нм позволит создать устройства MRAM с самой высокой на сегодняшний день плотностью элементов", - говорится в сообщении компании.

"Роснано" планирует инвестировать в проект до 3,8 миллиарда рублей, или около 140 миллионов долларов. На первом этапе компания и соинвесторы - венчурные фонды CDC Innovation, Ventech, IDInvest Partners, NanoDimension, и Sofinnova Ventures - вложат 55 миллионов долларов в уставный капитал Crocus.

Еще около 125 миллионов долларов участники проекта проинвестируют в строительство завода. На последующих этапах в проект планируется дополнительно инвестировать 120 миллионов долларов, которые пойдут на расширение производства и, в перспективе, на совершенствование технологического процесса до норм 45 нанометров.

Как отмечается в сообщении, в ближайшие два года CNE планирует запустить завод, способный выпускать до 500 пластин памяти в неделю. На втором этапе инвестиций его мощность будет увеличена до 1 тысячи пластин в неделю. В России и странах СНГ маркетинг и продажу производимых устройств будет осуществлять CNE, в других странах - компания Crocus.

Кроме этого, также запланировано создание образовательного центра и центров разработки и подготовки к производству в России новой компьютерной памяти и систем на чипе (system-on-chip - SOC). На первом этапе Crocus инвестирует более 5 миллионов долларов в российские исследовательские организации.

Французская компания Crocus Technology работает по "бесфабричной" модели, то есть специализируется на проектировании чипов, размещая их производство на чужих фабриках. Она заключила соглашение с израильским производителем специализированных чипов памяти TowerJazz о выпуске MRAM-памяти по 130-нанометровым топологическим нормам (для флэш-памяти рекордной технологией сегодня является 20 нм). Ожидается, что первые коммерческие MRAM-чипы от Crocus поступят на рынок во второй половине 2011 года.

ОАО "Роснано" создано в марте 2011 года путем реорганизации российской государственной корпорации нанотехнологий. В собственности государства находятся 100% акций "Роснано".

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала